新たなデバイスが上面冷却型TOLT GaNトランジスタとして業界初の標準を打ち立て、同社の幅広いパッケージオプションのポートフォリオをさらに拡大
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --次世代電力システムの未来を担う堅牢なGaN（窒化ガリウム）パワー半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム （Nasdaq: TGAN）は、SuperGaN® TOLT FETを発表しました。オン抵抗72ミリオームのTP65H070G4RSトランジスタは、業界初となるJEDEC標準（MO-332）TOLTパッケージの上面冷却型表面実装GaNデバイスです。TOLTパッケージは従来の下面冷却型表面実装デバイスではシステム要件を満たすことが出来ないお客様に、柔軟な熱管理を提供します。TOLTの熱性能は、広く使用されている熱に強いTO-247挿入実装パッケージと同等のレベルです。また、SMDベースのプリント基板アセンブリ（PCBA）により、製造プロセスの効率化が図られるというメリットもあります。
TP65H070G4RSは、トランスフォームの堅牢で高性能な650ボルトのノーマリーオフ型dモードGaNプラットフォームを活用し、ゲート電荷、出力容量、クロスオーバー損失、逆回復電荷量、動的抵抗の低減を通じて、シリコン、炭化ケイ素、その他GaN製品に優る効率性を実現しています。SuperGaNプラットフォームの強みは、TOLTの優れた熱性能と柔軟なシステムアセンブリがうまく組み合わさることで、より高い電力密度と効率性を兼ね備えた電力システムを実現していることです。電力システムコストを全体的に抑えた形で販売したいお客様に、高性能で信頼できるGaNソリューションを提供することができます。
トランスフォームは高性能なGaNに関して、様々なグローバル企業と提携しています。提携先には、サーバーやエネルギー貯蔵の大手企業、エネルギー・マイクロインバータのグローバルリーダー、オフグリッド電源ソリューションにおける革新的なメーカー、衛星通信のリーダー等が挙げられます。
「TOLLやTOLTといった表面実装デバイスには、内部インダクタンスが低く、製造時における基板実装を簡単に行える等、様々なメリットがあります。TOLTは、上面冷却により挿入実装のような熱性能を発揮し、全体としてより柔軟な熱管理を可能にします」と、トランスフォームの事業開発およびマーケティング担当バイスプレジデントであるフィリップ・ズクは述べています。「これらのデバイスは、ハイパフォーマンス・コンピューティング（サーバー、電気通信、AIパワー）、再生可能エネルギー、産業用製品、電気自動車といった主要な市場セグメント向けの中高電源システムアプリケーションとしてよく見かけます。これらのなかには、すでに当社のGaN技術が使用されているものもあります。TOLT SuperGaNソリューションにより、お客様にこれまでのシステムレベルでは得られない恩恵をお届けすることができ、嬉しく思います」
トランスフォームが最近発表した3つの新しいTOLL FETに続いて、本製品リリースが行われました。TOLTが加わることで、同社の製品ラインナップはさらに拡充されます。同社はSuperGaNプラットフォームを最も幅広い出力範囲で様々なパッケージにアクセスできるようにすることで、お客様一人ひとりの好みに合わせた対応をするというコミットメントを前面に押し出しています。
デバイスの仕様
SuperGaNデバイスは、比類のない性能で市場をリードしています。
0.05FIT未満の信頼性
ゲート安全マージン：±20V
4Vでのノイズ耐性
ノーマリーオフ型eモードGaNより20%低い抵抗温度係数（TCR）
シリコンベースの市販標準ドライバによる柔軟な駆動
堅牢な650VのSuperGaN TOLLデバイスは、JEDEC認定を受けています。ノーマリーオフ型dモードプラットフォームは、GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせているため、SuperGaN FETは一般的に使用されている市販のゲートドライバで簡単に駆動できます。これらは、様々なハード／ソフトスイッチングAC-DC、DC-DC、DC-ACトポロジーで使用することができ、システムのサイズ、重量、総コストを削減しつつ電力密度を高めることができます。
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提供状況とサポートリソース
TP65H070G4RS SuperGaN TOLLデバイスは現在サンプルを提供しています。製品をご希望の方は、https://www.transphormusa.com/en/products/からご請求ください。
TP65H070G4RSのデータシートはこちらからアクセスしてください。: https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション用の高性能・高信頼性GaN半導体の設計・製造を行っています。1,000件以上の特許を所有または使用許諾された最大級の出力GaN IPポートフォリオを有し、業界初のJEDECおよびAEC-Q101認定高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。その垂直統合型デバイスビジネスモデルは、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートといったあらゆる開発段階での革新を可能にしています。トランスフォームの革新的技術により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%以上の電力密度、20%低いシステムコストを達成しました。トランスフォームは米カリフォルニア州ゴリータに本社を置き、ゴリータと日本の会津に製造拠点があります。詳細は、www.transphormusa.comでご覧いただくか、Twitter（@transphormusa）およびWeChat（@Transphorm_GaN）でフォローしてください。
SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。
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