東芝：電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業機器や大容量電源など向けに、シリコンカーバイド(SiC)を使用した1200V耐圧のMOSFET「TW070J120B」を製品化し、本日から出荷を開始します。

新材料のSiCを使用したパワーMOSFETは、従来のシリコン(Si)MOSFETやIGBT製品と比べて高耐圧特性、高速スイッチングや低オン抵抗特性を実現しています。そのため、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献できます。

新製品は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第２世代チップデザイン^[注１]を採用しており、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しました。

1200V耐圧Si絶縁ゲート型バイポーラートランジスター(IGBT) の当社従来製品「GT40QR21」と比べて^[注２]、ターンオフスイッチング損失を約80%、スイッチング時間(下降時間)を約70%低減するとともに、20A以下のドレイン電流で低オン電圧特性を有しています。

また、ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。

産業機器向け大容量AC-DCコンバーター、太陽光インバーター、大容量双方向DC-DCコンバーターなど電力機器の高効率化(電力損失低減)と小型化に貢献します。

[注１]当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日)

[注２]周囲温度25℃

応用機器

• 
  大容量AC-DCコンバーター
  


• 
  太陽光インバーター
  


• 
  大容量双方向DC-DCコンバーター
  

新製品の主な特長

• 
  第2世代 チップデザイン(SiC SBD内蔵)
  


• 
  高耐圧、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低オン抵抗、低順方向電圧(ダイオード)、高ゲートしきい値電圧:
  

　　V_DSS=1200V、C_iss=1680pF(typ.)、Q_g=67nC(typ.)、R_DS(ON)=70mΩ(typ.)、V_DSF=-1.35V(typ.)、V_th=4.2～5.8V

• 
  取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ
  

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Ta=25℃)
品番	パッケージ	絶対最大定格		電気的特性					在庫検索＆Web少量購入
		ドレイン･ ソース間 電圧 VDSS (V)	ドレイン 電流 (DC) ID @Tc=25℃ (A)	ドレイン・ ソース間 オン抵抗 RDS(ON) typ. @VGS=20V (mΩ)	ゲート しきい値電圧 Vth @VDS=10V、 ID=20mA (V)	ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC)	入力容量 Ciss typ. (pF)	順方向 電圧 (ダイオード) VDSF typ. @IDR=10A、 VGS=-5V (V)
TW070J120B	TO-3P(N)	1200	36.0	70	4.2～5.8	67	1680	-1.35	Buy Online

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html

当社、SiC MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。

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シリコンカーバイド（SiC）を使用したパワーデバイスの情報をWebで公開しています。ぜひご覧ください。

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