東芝デバイス＆ストレージ(株)：600V耐圧新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨシリーズ」発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、600V耐圧の新世代プレーナーMOSFET「π-MOSⅨ(パイ・モス・ナイン)シリーズ」の量産を本日から開始します。新シリーズは、チップデザインの最適化により現行のπ-MOSⅦ(パイ・モス・セブン)シリーズと比較して、効率を維持しつつ、EMIノイズピーク値を5dB低減^[注1]しており、設計自由度向上、設計省力化に貢献します。また定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保し、現行世代品からの置き換え検討を容易にしています。

当社は今後、本シリーズの同耐圧でのラインアップ展開および500V、650V耐圧品のラインアップ展開を行います。

応用機器

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  ノートPC用ACアダプター、ゲーム機チャージャーなどの中小型スイッチング電源
  


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  照明用電源
  

新製品の主な特長

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  高効率と低ノイズの両立
  


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  定格電流(DC)と同等のアバランシェ電流定格を確保
  

新製品の主な仕様
品番		パッケージ		絶対最大定格				RDS(ON) MAX (Ω) at VGS=10V		Qg Typ. (nC)		Ciss Typ. (pF)		現行世代 (π-MOSⅦシリーズ) 品名
				VDSS (V)		ID (A)
TK650A60F		TO-220SIS		600		11		0.65		34		1320		TK11A60D
TK750A60F		TO-220SIS		600		10		0.75		30		1130		TK10A60D
TK1K2A60F		TO-220SIS		600		6		1.2		20.5		740		TK6A60D(1.25Ω)
TK1K9A60F		TO-220SIS		600		3.7		1.9		14		490		TK4A60DB(2.0Ω)

[注1]TK10A60DとTK750A60Fでの比較。(65WノートPCアダプター@200MHz領域)

当社の400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

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