東芝デバイス＆ストレージ（株）：業界最小クラスパッケージのモバイル、コンシューマ機器向けNch MOSFETドライバICの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch
MOSFETドライバIC「TCK401G（アクティブハイ^［注１］）」及び、「TCK402G（アクティブロー^［注２］）」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス^［注３］の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm,
t: 0.55mm(typ.))を採用しています。

用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された、外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。

例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。

応用機器

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  モバイル機器、コンシューマ機器
  

新製品の主な特長

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  広い入力動作電圧：V_{IN _opr} = 2.7V to 28V
  


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  小型WCSP6Eパッケージ：0.8mm x 1.2mm, t: 0.55mm(typ)
  


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  過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能を内蔵
  

新製品の主な仕様
項目 (Ta=25℃)						TCK401G (アクティブハイ)		TCK402G (アクティブロー)
絶対最大定格
		入力電圧 VIN (V)				40
電気的特性
		入力動作電圧 VIN_opr (V)				2.7 to 28
		入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA) @ VIN=5 V				121
		ゲートドライブ電圧 VGS typ (V)		VIN = 3 V		4
				VIN = 5 V		6.5
				VIN = 9 V		6.5
				12V≦VIN≦28V		8.5
		ゲートオン時間 tON typ (ms) [注4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF				0.58
		ゲートオフ時間 tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF				16.6

[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2]
モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] Nch FET
Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。
[注4] V_CTがV_IHの半分の値になってから、記載のV_GATEになるまでの時間。

当社の電源用ICの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/linear/power-supply.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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