マウザー：小型設計で効率性に優れた高速スイッチングを可能にするインフィニオン社のCoolGaN HEMTの取り扱いを開始

マウザー・エレクトロニクスは、インフィニオン テクノロジーズ（Infineon）社のCoolGaN窒化ガリウム（GaN）HEMTの取り扱いを開始した。このCoolGaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）は、効率性と電力密度に優れており、パワー半導体の高速スイッチングを実現する。ハードスイッチングおよびソフトスイッチング・トポロジーに対する優れた性能を備え、ワイヤレス充電器、スイッチモード電源（SMPS）、テレコム、ハイパー・スケール・データセンター、サーバなどのアプリケーションに最適だ。

　マウザーより購入可能な、Infineon CoolGaN HEMTは、シリコン・スイッチ・デバイスに比べて品質が格段に優れている。本デバイスは、シリコントランジスタに比べて出力電荷とゲート電荷が10倍低く、また絶縁破壊電界が10倍、モビリティが2倍向上している。ターンオン/オフが最適化され、新しいトポロジーと電流変調により、革新的なスイッチングソリューションを実現する。CoolGaN HEMTは、表面実装パッケージの使用により、スイッチング機能が完全に利用可能で、また小型設計により、実装面に制約のある多種多様なアプリケーションでの使用が可能だ。




InfineonのCoolGaN窒化ガリウムHEMTは、評価プラットフォームEVAL_1EDF_G1_HB_GANおよびEVAL_2500W_PFC_Gでサポートされている。EVAL_1EDF_G1_HB_GANボードは、CoolGaN 600 V HEMTとInfineonのGaN EiceDRIVERゲートドライバICを搭載しており、コンバータやインバータアプリケーションにおけるユニバーサル・ハーフ・ブリッジ・トポロジーの高周波GaN機能の評価が行える。EVAL_2500W_PFC_Gボードは、CoolGaN 600V e-mode HEMT、CoolMOS C7 GoldスーパージャンクションMOSFET、およびEiceDRIVERゲートドライバ ICを搭載しており、2.5 kWフルブリッジ力率改善回路（PFC）評価ツールを提供し、SMPSやテレコム整流器など、電力効率が重要となるアプリケーションにおけるシステム効率を99％以上向上する。

詳細については、www.mouser.com/infineon-coolgan-hemtsを参照。