東芝：車載トラクションインバーター向け、低オン抵抗と高信頼性を実現した1200V耐圧SiC MOSFETのベアダイのテストサンプル出荷について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、車載トラクションインバーター^[注1]向けに、新構造で低オン抵抗と高信頼性を両立した1200V耐圧シリコンカーバイド(SiC) MOSFETのベアダイ^[注2]製品「X5M007E120」を開発し、テストサンプル出荷を開始しました。

一般的なSiC MOSFETは、逆導通動作^[注3]時にボディーダイオードがバイポーラー通電するとオン抵抗が増大していく信頼性の課題がありました。東芝のSiC MOSFETは、MOSFETチップにショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵することで、ボディーダイオードが動作しないように対策したデバイス構造を採用しています。しかしながら、内蔵SBDがチップ面積の一部を占有することは、MOSFETのオン動作の抵抗を決めるチャネル領域の面積を減少させ、チップのオン抵抗の上昇に直結します。

X5M007E120は、内蔵SBDの配置を従来のストライプ配置から市松模様に変更することで、ボディーダイオードのバイポーラー通電^[注4]を効果的に抑制し、同じSBD搭載面積でも約2倍の電流範囲までユニポーラー動作の上限が向上しました^[注5]。また、チャネル密度が向上し、単位面積当たりのオン抵抗が、ストライプ配置の従来プロセスと比較して20%～30%程度低減しました^[注5]。これにより、逆導通動作時の信頼性を保ちながら、オン抵抗の低減を実現し、車載トラクションインバーターなど、モーター制御用インバーターの用途で省エネルギー化に貢献します。

SiC MOSFETのオン抵抗を低減すると、短絡動作^[注6]時にMOSFET部に過剰に流れる電流が増加するため、短絡動作の耐久性が低下します。また、逆導通動作の信頼性向上のために内蔵SBDを動作しやすくすると、短絡動作時にSBD部の漏れ電流が増加し、短絡動作の耐久性の低下につながります。開発製品は、深いバリア構造^[注7]を採用することで、短絡動作中のMOSFET部の過剰な電流とSBD部の漏れ電流を抑制します。これにより、逆導通動作に対する優れた信頼性を保ちながら、短絡動作時の耐久性を向上することが可能です。

また、ベアダイを採用することで、ユーザーのニーズに応じたカスタマイズが可能となり、用途に合わせたソリューションを提供できます。

当社は、X5M007E120のエンジニアリングサンプルの出荷を2025年に、量産出荷を2026年に予定しており、さらなる特性改善に向けた検討を進めていきます。モーター制御用インバーターや電動車両の電力制御システムなど、エネルギー効率が求められる分野での活用に向け、より使いやすく、高性能なパワー半導体をユーザーに提供することで、脱炭素社会の実現に貢献します。

[注1] 電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)で、バッテリーから供給される直流電力を交流電力に変換し、モーターを制御する装置。

[注2] パッケージ化されていないチップ状態の製品。

[注3] 回路中の電流の還流によってMOSFETのソースからドレイン方向に電流が流れる動作。

[注4] ドレインとソースの間に存在するpnダイオードに順方向電圧が印加されてバイポーラー動作が起こること。

[注5] 当社従来ストライプ配置製品との比較。

[注6] 正常スイッチング動作時の短時間の導通に対して、制御回路の故障などの異常時に長時間の導通が起こる現象。一定時間の短絡動作で故障しない耐久性が求められます。

[注7] 高電圧による高電界をコントロールするために設けられる、デバイス構造の要素。素子の性能に大きく影響します。

応用機器

• 
  車載トラクションインバーター
  

開発製品の主な特長

• 
  低オン抵抗と高信頼性を同時に実現
  


• 
  車載向けベアダイ
  


• 
  AEC-Q101適合
  


• 
  ドレイン・ソース間電圧定格 : V_DSS=1200V
  


• 
  ドレイン電流 (DC) 定格 : I_D=(229)A^[注8]
  


• 
  オン抵抗が低い :
  
  R_DS(ON)=7.2mΩ (typ.) (V_GS=＋18V、T_a=25°C)
  
  R_DS(ON)=12.1mΩ (typ.) (V_GS=＋18V、T_a=175°C)
  

[注8] 暫定値

開発製品の主な仕様
（特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番				X5M007E120
パッケージ	東芝パッケージ名称			2-7Q1A
	サイズ (mm)		Typ.	6.0×7.0
絶対最大定格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)			1200
	ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)			+25/-10
	ドレイン電流 (DC) ID (A)			(229)[注8]
	ドレイン電流 (パルス) ID Pulse (A)			(458)[注8]
	チャネル温度 Tch (°C)			175
電気的特性	ゲートしきい値電圧 Vth (V)	VDS =10V、 ID=16.8mA	Typ.	4.0
	ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(on) (mΩ)	ID=50A、 VGS =+18V	Typ.	7.2
		ID＝50A、 VGS =+18V、 Ta＝175°C	Typ.	12.1
	ソース・ドレイン間 オフ電圧 VSD (V)	ISD＝50A VGS =-5V	Typ.	-1.21
	ソース・ドレイン間 オフ電圧 VSD (V)	ISD＝50A、 VGS=-5V、 Ta＝175°C	Typ.	-1.40
	内部ゲート抵抗 rg (Ω)	Open drain、 f=1MHz	Typ.	3.0

開発製品の詳細については、当社のニュースリリースも併せてご覧ください。

車載トラクションインバーター向け、低オン抵抗と高信頼性を実現した1200V耐圧SiC MOSFETのベアダイのテストサンプル出荷について

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