Power Integrations、画期的な 1,250V GaN スイッチング電源用 IC をリリース

InnoSwitch3-EP 1,250V IC の高耐圧 GaN 技術において、この分野を主導的に牽引し続ける

テネシー州ナッシュビル--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --ECCE 2023 発 – エネルギー効率の高い電力変換用の高電圧集積回路のリーダーであるPower Integrations (NASDAQ: POWI) は本日、1250V PowiGaN™ スイッチを搭載した、世界最高耐圧のシングルスイッチ窒化ガリウム GaN 電源 IC を発表しました。InnoSwitch™3-EP 1,250V IC は、Power Integrations のオフライン CV/CC QR フライバック スイッチング電源用 IC である InnoSwitch ファミリーの最新ラインナップで、同期整流、FluxLink™ 安全絶縁型フィードバック、及び豊富なスイッチ オプション (725V シリコン、1,700V シリコン カーバイド、及び 750V、900V、そして新たに 1,250V の PowiGaN) を搭載しています。

Power Integrations 独自の 1,250V PowiGaN 技術のスイッチング損失は、同じ電圧の同等のシリコン デバイスと比較して 3 分の 1 以下です。この結果、電力変換効率は 93％ と高くなり、ヒートシンクなしで最大 85 W を供給できる非常にコンパクトなフライバック電源を実現できます。

Power Integrations の技術部門の副社長である Radu Barsan は、次のように述べています。「Power Integrations は、高電圧 GaN 技術開発と商業展開において最先端の技術水準を牽引し続けており、最高の高電圧シリコン MOSFET でさえも色あせるほどです。弊社は 2019 年に GaN ベースの電源 IC の量産実績で初めて市場に投入し、今年初めには GaN ベースの InnoSwitch 製品の 900V バージョンを発表しました。弊社が現在開発を進めている高電圧 GaN 技術は、弊社の新しい 1250V デバイスでも示されているように、GaN の効率の利点を、現在シリコン カーバイド技術によって提供されている多くのアプリケーションを含め、さらに広範囲な展開が可能となります。」

新しい InnoSwitch3-EP 1,250V IC を検討する設計者は、余裕を持って 1,000V の動作ピーク電圧を指定することができ、これにより業界標準になる絶対最大値の 1,250V から 80％ のディレーティングが可能になります。これは、産業アプリケーションで、大きな余裕をもたらし、特に、系統の不安定性、サージ、その他の電力摂動に対する防御として耐久性が不可欠な、厳しい送電網環境においても有益です。

入手方法と情報提供

サンプルはすぐに入手可能です。1,250V InnoSwitch3-EP IC の量産出荷のリード タイムは、16 週間です。INSOP-24D パッケージの InnoSwitch3-EP 1,250V デバイスの 10,000 個/ロット時の単価は 3.00 米ドルからです。12V、6A のフライバック コンバータについて解説しているデザイン例 DER-1025 を無料でダウンロードしていただけます。詳細については、Power Integrations の営業拠点または次のいずれかの認定されたワールドワイド販売代理店までお問い合わせください。DigiKey、Newark、Mouser、及び RS Components。または、power.com にアクセスしてください。

Power Integrations について

Power Integrations, Inc. は、高電圧電力変換用半導体技術で業界をリードする革新的企業です。Power Integrations の製品は、クリーン電源エコシステムに欠かせない要素を有しており、再生可能エネルギーの生成を可能にするとともに、ミリワットからメガワットに及ぶアプリケーションにおいて効率的な送電と消費電力抑制に貢献します。詳細については、www.power.com をご覧ください。

Power Integrations、Power Integrations ロゴ、PowiGaN、InnoSwitch、及び FluxLink は、Power Integrations, Inc. の商標、サービス マーク、または登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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