3つの新たなデバイスは、コンパクトなフットプリントでより高い信頼性とパフォーマンス、そして低熱伝導率が求められるSMDベースのハイパワーシステムに、SuperGaNのノーマリーオフ型dモードプラットフォームのメリットを提供
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --次世代電力システムの未来を担う堅牢なGaNパワー半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、オン抵抗35、50、72mΩのTOLLパッケージによる3つのSuperGaN® FETを発表しました。トランスフォームのTOLLパッケージ構成は業界標準となっており、SuperGaN TOLL FETはあらゆるeモードTOLLソリューションのドロップイン代替品として使用できます。また、この新しいデバイスは、トランスフォームの実績ある高電圧ダイナミック（スイッチング）オン抵抗の信頼性を提供します。これは一般的に、主要なファウンドリーベースのeモードGaN製品に欠けているものです。このデバイスのサンプルは、トランスフォームの製品ページhttps://www.transphormusa.com/en/products/でお問い合わせください。
3つの表面実装デバイス（SMDs）は、平均1～3kWの範囲で動作する高出力アプリケーションをサポートします。これらの電源システムは通常、コンピューティング（AI、サーバー、テレコム、データセンター）、エネルギー・産業（PVインバーター、サーボモーター）などの高性能分野や、その他の広範な産業市場で使用されており、これらを合わせた現在の世界のGaN TAMは25億ドルに達しています。特筆すべきは、これらのFETが、従来のCPUの10～15倍の出力を必要とするGPUに依存する、今日急速に拡大しているAIシステムに最適なソリューションであることです。
トランスフォームの高出力GaNデバイスはすでに、データセンター電源、高出力ゲーム用PSU、UPS、マイクロインバータなど、生産中の高性能システムの電源として使用する主な顧客に広く供給されています。これらのアプリケーションは、電気自動車ベースのDC-DCコンバータや車載充電器と同様に、TOLLデバイスでサポートすることが可能で、基礎となるSuperGaNダイはすでに車載用（AEC-Q101）認定を受けています。
SuperGaN TOLL FETは、トランスフォームが提供する6番目のパッケージタイプであり、顧客独自の設計要件を満たすために幅広いパッケージの選択肢を提供します。他のトランスフォーム製品と同様、TOLLデバイスは、ノーマリーオフ型dモードSuperGaNプラットフォームが可能にする固有の性能と信頼性におけるメリットを利用しています。SuperGaNとeモードGaNの詳細な競合分析については、当社の最新ホワイトペーパー「The Fundamental Advantages of d-Mode GaN in Cascode Configuration（カスコード構成におけるdモードGaNの基本的優位性）」をダウンロードしてご確認ください。このホワイトペーパーの結論は、今年初めに発表された、72mΩのSuperGaN FETが、市販されている280Wのゲーム用ノートパソコン充電器において、より大型の50mΩのeモードデバイスを凌駕することを示した直接の比較と一致しています。
SuperGaNデバイスは、比類のない性能で市場をリードしています。
0.03FIT未満の信頼性
ゲート安全マージン：±20V
4Vでのノイズ耐性
eモードより20%低い抵抗温度係数（TCR）
シリコンベースのコントローラ／ドライバで容易に利用可能な標準ドライバと保護回路による柔軟な駆動
デバイスの仕様
堅牢な650VのSuperGaN TOLLデバイスは、JEDEC認定を受けています。ノーマリーオフ型dモードプラットフォームは、GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせているため、SuperGaN FETは一般的に使用されている市販のゲートドライバで簡単に駆動できます。これらは、様々なハード／ソフトスイッチングAC-DC、DC-DC、DC-ACトポロジーで使用することができ、システムのサイズ、重量、総コストを削減しつつ電力密度を高めることができます。
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提供状況とサポートリソース
SuperGaN TOLLデバイスは現在サンプルを提供しています。製品をご希望の方は、https://www.transphormusa.com/en/products/からご請求ください。
TOLLベースのシステム開発を最適化するための主なアプリケーションノートは以下のとおりです。
AN0009：トランスフォームGaN FETの推奨外部回路
AN0003：GaN 電源スイッチ用のプリント基板レイアウトとプロービング
AN0014：低～中電力GaN FETアプリケーション用の低コスト、高密度高電圧シリコンドライバ
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション用の高性能・高信頼性GaN半導体の設計・製造を行っています。1,000件以上の特許を所有または使用許諾された最大級の出力GaN IPポートフォリオを有し、業界初のJEDECおよびAEC-Q101認定高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。その垂直統合型デバイスビジネスモデルは、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートといったあらゆる開発段階での革新を可能にしています。トランスフォームの革新的技術により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%以上の電力密度、20%低いシステムコストを達成しました。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を置き、ゴリータと会津に製造拠点があります。詳細は、www.transphormusa.comでご覧いただくか、Twitter（@transphormusa）およびWeChat（@Transphorm_GaN）でフォローしてください。
SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標は各所有者に帰属します。
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