東芝：急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、モバイル機器などのリチウムイオン (Li-ion) 電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、コモンドレイン接続12V耐圧、電流定格20AのNチャネルMOSFET「SSM14N956L」を製品化し、本日から出荷を開始します。

近年、Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。また、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型・薄型サイズが求められます。

新製品は、先行リリースした既存製品SSM10N954Lと同じ当社微細プロセスを採用しました。これにより、業界トップクラス^[注１]の低オン抵抗特性による低電力損失と、低いゲート・ソース間漏れ電流特性による低待機電力化の両立が可能となり、バッテリーの長時間動作に貢献します。

また、小型・薄型の新パッケージ TCSPED-302701 (2.74mm x 3.0mm、t=0.085mm (typ.)) を採用し保護回路の高密度実装に貢献します。

当社は今後も、Li-ion電池パック搭載機器の保護回路向けにMOSFET製品の開発を進めていきます。

応用機器

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  Li-ion電池パック搭載の民生/個人用機器
  
  (スマートフォン、タブレットデバイス、パワーバンク、ウエアラブル端末、ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルコンパクトカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)

新製品の主な特長

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  業界トップクラス^[注１]の低オン抵抗 : R_SS(ON)=1.1mΩ (typ.) @V_GS=3.8V


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  業界トップクラス^[注１]の低ゲート・ソース間漏れ電流: I_GSS=±1μA (max) @V_GS=±8V


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  小型・薄型のTCSPED-302701パッケージ : 2.74mm x 3.0mm、t=0.085mm (typ.)


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  バッテリー保護回路で使用しやすいコモンドレイン構造

[注1] 同定格の製品において。2023年5月現在、当社調べ。

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、Ta=25°C)
品番			SSM14N956L	SSM10N954L[注２]
構造			Nチャネル コモンドレイン
絶対最大定格	ソース・ソース間電圧 VSSS (V)		12
	ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)		±8
	ソース電流 (DC) IS (A)		20.0	13.5
電気的特性	ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS max (μA)	@VGS＝ ±8V	±1
	ソース･ソース間オン抵抗 RSS(ON) typ. (mΩ)	@VGS＝4.5V	1.00	2.1
		@VGS＝3.8V	1.10	2.2
		@VGS＝3.1V	1.25	2.4
		@VGS＝2.5V	1.60	3.1
パッケージ	名称		TCSPED-302701	TCSPAC-153001
	寸法 typ. (mm)		2.74x3、 t=0.085	1.49x2.98、 t=0.11
在庫検索＆Web少量購入			Buy Online	Buy Online

[注2] 先行リリース製品

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

SSM14N956L

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。

SSM14N956L

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