トランスフォームの革新的な通常オフGaNプラットフォームで、次世代の自動車および三相電源システム向けデバイスが実現
カリフォルニア州ゴレタ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 基本的に優れ、定量的に優れたGaNパワー半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、1200 V FETシミュレーションモデルと暫定データシートの提供を発表しました。TP120H070WS FETは、これまでに登場した1200 V サファイア基板上GaNパワー半導体の中で唯一、この種のモデルとしては初となります。今回のリリースは、トランスフォームが将来の自動車用電源システム、および幅広い産業、データ通信、再生可能エネルギー市場で一般的に使用される三相電源システムをサポートする能力を持つことを示しています。これらのアプリケーションは、1200 V GaNデバイスの高い電力密度と信頼性に加えて、代替技術と比べてより妥当なコスト ポイントで同等またはそれ以上の性能を享受できます。 トランスフォームは最近、100 kHzでスイッチングする5 kW 900 VバックコンバータでGaNデバイスの高い性能を検証しました。1200V GaNデバイスは98.7%の効率を達成し、同定格の生産用SiC MOSFETを上回りました。
この革新的な 1200V 技術は、GaN 電力変換におけるトランスフォームの優位性を強調するものです。垂直統合、エピタキシーの所有権、および数十年にわたるエンジニアリングの専門知識と組み合わせた特許取得済みのプロセスにより、同社はさらに次の4つの主要な差別化要素を持つ最高性能のGaNデバイスポートフォリオを市場に提供することができます。つまり製造可能性、走行可能性、設計可能性、および信頼性です。
PCIM 2023の参加者は、5月9日から11日までの期間中、ホール7、ブース108でトランスフォームの代表者から1200Vデバイスの詳細について学ぶことができます。
デバイスモデルの暫定仕様とリリース予定
トランスフォームの1200 V技術は、実証されたプロセスと成熟した技術に基づいており、顧客の信頼要件を満たしています。サファイア基板上GaNプロセスは、LED市場で現在量産されています。さらに、1200 V技術は、トランスフォームの現在のデバイスポートフォリオで使用されている根本的に優れたノーマリーオフのGaNプラットフォームを活用しています。
TP120H070WSの主なデバイス仕様：
70 mΩのRDS(オン)
通常オフ
効率的な双方向電流フロー
±20 Vmaxのゲート強度
4Vth以下の低いゲートドライブノイズ耐性
ゼロのQRR
3ピンのTO-247パッケージ
Verilog-Aデバイス モデルは、SIMetrix Pro v8.5サーキット シミュレータで使用することを推奨します。LTSpiceモデルは現在開発中であり、2023年第4四半期にリリースされる予定です。シミュレーションモデリングにより、設計イテレーション、開発時間、およびハードウェア投資を削減しながら、高速かつ効率的な電力システム設計の検証が可能となります。
デバイスのモデルファイルおよびデータシートは、https://www.transphormusa.com/en/products/#modelsからダウンロード可能です。
1200 V FETのサンプルは、2024年第1四半期に提供される見込みです。
自動車用電源システムおよび充電エコシステムにおけるトランスフォームのGaN
1200 V GaNデバイスは、様々な市場アプリケーションに最適なソリューションですが、自動車システムには独自の利点があります。
この後半の10年間で、電気自動車業界、特に大型車向けの高キロワットノードでは800 Vバッテリーに向かって進んでいます。そのため、1200 Vパワーコンバージョンスイッチが必要なレベルの性能を提供するために使用されるようになるでしょう。トランスフォームの1200 Vプラットフォームは、次世代のオンボード充電器、DC-DCコンバーター、ドライブインバーター、ポール充電システムでの成功に向けた有利な位置にあります。
現行モデルの400 Vバッテリーを使用する電気自動車に対して、トランスフォームは650 Vの通常オフ型SuperGaN® FETを提供しており、これは、AEC-Q101で175℃まで認定されており、量産中です。
「私たちはGaNのポテンシャルを現実のものとし、その分野をリードするパワーセミコンダクタ企業です。当社はそのノウハウにより、パワー密度、性能、システムコストの面で日々新たな基準を打ち立てる、他に類を見ないGaNデバイスを市場に提供しています。当社の1200 V技術は、当社の技術者チームの革新的なビジョンと決意の証です。我々はGaNが従来はSiC向けに予定されていたアプリケーション市場でも、容易に使われることを証明しており、それによって当社のビジネスとGaN全体にとって幅広い市場採用の潜在力を開いています」とトランスフォームのCTO兼共同創設者であるウメシュ・ミシュラは述べています。
トランスフォームについて
トランスフォームは、GaN革命のグローバルリーダーであり、高電圧電力変換アプリケーション向けの高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。トランスフォーム社は、1000件以上の特許を保有する最大級のPower GaN IPポートフォリオを有し、業界初のJEDECおよびAEC-Q101認定高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。当社の垂直統合型デバイスビジネスモデルは、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社のイノベーションは、シリコンの限界を超えて電力エレクトロニクスを進化させ、99%以上の効率、50%以上のパワー密度、20%のシステムコスト削減を実現しています。トランスフォーム社は、カリフォルニア州ゴレタに本社を置き、ゴレタと日本の会津に製造拠点を持っています。詳細については、ウェブサイトwww.transphormusa.comをご覧ください。また、Twitter @transphormusaとWeChat @ Transphorm_GaNをフォローしてください。
SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
Contacts
Press Contact:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Investor Contacts:
David Hanover or Jack Perkins
KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com
