APACのパワーエレクトロニクス顧客のために新拠点としてのグレーターチャイナが地域の能力を増強
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性高性能窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、中国深圳に新たなオフィスをオープンしたことを発表しました。外資独資企業（WFOE）として、この施設に入るスタッフは、現地の顧客サポート、営業、マーケティングの活動を強化する責務を担います。また、GaNベースのパワーシステムを開発する地域顧客のためのアプリケーション・ラボとしても機能し、世界的な研究開発活動にも貢献します。このオフィスは、トランスフォームの現アジア・セールス担当バイスプレジデントのKenny Yimが監督します。Yimは、中国ゼネラルマネジャーの職にも就任します。Yimをサポートするアジア・アプリケーション責任者のChun Hung Hoは、トランスフォームに7年勤めてきたベテランです。
Yimは、次のように語っています。「中国、香港、東南アジアには、いくつものダイナミックな業界があり、高性能GaNを通じてパワーエレクトロニクスを再構想しています。深圳も、中国内の主要なエレクトロニクス技術ハブとなっています。この都市に公式にプレゼンスを確立することは当社の成長戦略にとって不可欠です。当社のお客さまは、この地域のエレクトロニクスのイノベーションを活用することを考えています。ここにアプリケーション・ラボを持つことで、当社はニアショアのエンジニアリング人材プールを容易に活用することができ、同時に現地の設計センターでお客さまのサポートを改善することができます。すべての人にとってウィンウィンです。」
高電圧GaNパワー半導体のリーダーとして、トランスフォームは、45 Wから10 kW超の電力範囲に対応できる比類のないGaNデバイス・ポートフォリオを提供しています。その結果、当社は、アダプターやコンピューターから幅広い産業用途や車載用途まで、多種多様な市場で活動する製品メーカーのサプライヤーとなっています。最近発表された顧客製品（65 W電力アダプターと医療用エネルギー蓄積デバイス）は、APAC地域で設計・製造されたものであり、トランスフォームがこの地域の能力を強化することの重要性が明らかになっています。
トランスフォームの世界セールス担当VPのTushar Dhayagudeは、次のように語っています。「リサーチ会社Yole Intelligenceによれば、パワーGaN市場は2027年までに20億米ドルに達すると予想されます。当社のGaN製品とリソースに対する需要は同時に上昇しています。当社は、顧客の目標達成を支援することに注力しており、このコミットメントには専任の現場サポートが必要であることを理解しています。その点を考慮し、深圳は、正式なトランスフォームのAPAC施設を開設する最適な場所であることが分かってきました。当社は、深圳のテクノロジー・コミュニティーの公式な一部となったことを誇りに思います。そして、当社のプレゼンスの拡大を成功させていくことを楽しみにしています。」
上述したように、Yimが中国ゼネラルマネジャーとして、この新しいラボを率います。Yimは半導体業界で25年以上の経験を持ち、そのうち10年以上はトランスフォームに勤務し、APAC地域の販売を主導してきました。Yimとそのアジアのチームは、電力アダプター、データセンター、ゲーミング、ブロックチェーン・コンピューティング、再生可能エネルギーといった多様な市場でトランスフォームが無数の顧客関係を開拓することに貢献してきたことが認められています。Yimは、以前は世界的な半導体企業のクリー（現在はウルフスピード）で販売職を務め、インフィニオンによって買収される前のインターナショナル・レクティファイアーでも働きました。
Yimの新たな職に関して、共同創業者で社長のPrimit Parikhは、次のように述べています。「Yimのトランスフォームでの過去10年間の貢献は、これまでの全体的な顧客採用において不可欠なものでした。その中国を中心としたアジアでの活動により、当社は低電圧から高電圧までの幅広い範囲にわたるGaNの採用を先駆的に進めることができました。これには、トーテムポールPFCのような重要な特許技術ソリューションやその他の多様な電力トポロジーが含まれます。」
新オフィスは完全に稼働しており、すでに中国の幅広いお客さまに対応しています。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
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