Inpria、SK hynixと次世代DRAMに向けたEUV用金属酸化物レジストを共同開発

～パターン形成の複雑さ軽減を目指して～

東京--(BUSINESS WIRE)--JSR株式会社は、グループ企業であるInpria Corporation (以下 Inpria)のEUV用金属酸化物レジストがSK hynix社の最先端DRAMチップ製造への応用検討が加速していることをご報告いたします。

InpriaはEUV用金属酸化物レジストの広範な特許を有しており、最先端のDRAMチップを製造するために必要な微細加工性能だけでなく、製造工程に必須とされる非常に低い欠陥レベルを達成することが評価されています。また、Inpriaの金属酸化物レジストは、半導体製造ですでに実績のあるプロセスや装置構成と互換性が高く、広く実績のあるスピンコーティングプロセスで塗布することも可能です。

SK hynixのR&D工程担当であるBK Lee氏は、「EUV技術を使用した製造技術はとても複雑であり、それを可能にする最先端の素材が必須です。酸化スズのレジストは性能だけでなく製造コストにおいても優位性があり、最先端DRAMチップを生産に必要となる可能性の高い素材です」と語っています。

JSR株式会社常務執行役員の須原忠浩は、「JSRの技術は、企業理念である“Materials Innovation”のもと、一回の露光で最小線幅を形成することに挑み、SK hynixの技術の加速に貢献してまいります。また、先端技術の追求に加え、デバイス製造工程でのコスト削減も視野にいれ技術開発に挑んでいます」と、自信を示しています。

EUV技術は、半導体製造に用いられる最先端のリソグラフィー工程であり、すでに商業的に使用され、チップ製造における微細化加速に伴い、その使用は大幅に拡大すると予想されています。

Inpriaは、EUV（極端紫外線）リソグラフィー用メタル系フォトレジストの設計・開発・製造会社で世界をリードしており、2021年10月にJSRグループに加わり、ユーザーの拡大を図っています。

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