トランスフォームの低電力アプリケーション向け高信頼性デバイスは電源システム開発の簡素化と部品点数の削減で評価が高く、18億ドル規模のアダプター市場で実証済みのソリューション
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、当社のGaN技術が電力製品とEV充電ステーションの世界的サプライヤーであるファイフォン（飛宏科技）の新しい65W 2C1A USB PDアダプターに採用されたと発表しました。このアダプターは、トランスフォームのSuperGaN® Gen IV技術を活用しています。このGaN FETプラットフォームは、システム設計が容易でシステム部品点数が少ないことから、高性能で世界クラスの信頼性を提供することまで、幅広い利点を提供します。
3台のデバイスを同時に充電できるファイフォンの65Wアダプターは、2つのUSB-Cポートと1つのUSB-Aポート（2C1A）を小型フォームファクター（51 x 55.3 x 29 mm）に搭載しています。この充電器は、650VのシングルSuperGaNデバイスであるTP65H300G4LSGを活用して、擬似共振フライバック（QRF）トポロジーを使用したシリコンソリューションと比べて電力損失を約17パーセント削減しています。また、このアダプターは最大65WまでのUSB PDおよびPPSの機能を提供します。
TP65H300G4LSGは240 mOhmのJEDEC準拠PQFN88表面実装デバイスであり、±18Vのゲート安全性マージンを備えています。このFETは、QRF、アクティブクランプフライバック（ACF）、LLC共振のトポロジーで構築された150W以下の低電力アプリケーションに最適です。
トランスフォームのTP65H300G4LSGは、シリコン並みのしきい値レベルと高いゲート耐圧（最大±18V）を実現しています。負バイアス電圧を必要とせずに、既製品のコントローラー（ドライバー内蔵型を含む）と組み合わせることができます。これにより、電源システムの設計が簡素化され、周辺回路を追加する必要がないため、部品点数が削減され、システム全体の信頼性が向上します。これらすべてが、ファイフォンがトランスフォーム製FETの採用を決定した主な理由です。
ファイフォンは、電子機器メーカーが信頼できるほどの信頼性を備えた電力ソリューションを製造しています。同社は、電力密度上のGaNの優位性を理解しているため、新しいGaNアダプターを構築することを決定しました。一方、トランスフォームのGaN FETの簡素な設計性と駆動性、さらには高いゲート堅牢性により、トランスフォームをGaNデバイスのパートナーとして選択することは容易なことでした。
ファクツ＆ファクターズは最近、世界のAC-DCアダプター市場が2026年までに12.7%の年平均成長率で185万4000米ドルに達すると予測する報告書を発表しました。トランスフォームも最近、5月の報告書で、当社の240 mOhmデバイスが、アジアの大型携帯電話（65W）およびWWの大手電子小売業者（140W）のプロジェクトでODMから生産前注文を獲得し、支持を得ていると発表しました。さらに、SuperGaN® 240 mOhm FETの初期購入注文5万個を含め、フォーチュン100社のある一流企業からノートパソコン用アダプターのデザインウィンを受注することに伴い、市場シェアを拡大しています。これらのFETは、65Wの急速充電アダプターのアプリケーションにおいて、同様のアプリケーションでより大きな150 mOhmデバイスを必要とする競合eモードGaN FETよりも高い効率を実現します。結果として、トランスフォームのSuperGaN® FETにより、顧客はより少ない部品でより多くのことを実現できます。
トランスフォームのアジア太平洋地域販売担当バイスプレジデントのKenny Yim は、次のように述べています。「当社のSuperGaNプラットフォームは、信頼性、設計性、駆動性、再現性という4つの重要な原則を念頭に置いてゼロから構築したものです。当社の240 mOhmデバイスも例外ではありません。私たちは、アダプターメーカーが、最新の高度なUSB充電機能を提供できる小型・軽量の冷温駆動製品を設計できるようにします。このような類いの革新が、世界のアダプター市場におけるGaNの採用を促進しており、当社が大量生産能力に裏打ちされた高性能ソリューションによって市場での足場を固めることができる立場をもたらしています。」
TP65H300G4LSGは現在、ディジ・キーおよびMouserから提供中です。
ファイフォンについて
ファイフォン（https://www.phihong.com.tw）は、世界クラスの電力ソリューションとEV充電製品の開発で世界をリードしています。50年以上の実績のある経験と6億ドルを超える年間収益を持つファイフォンは、EV充電の分野に加え、医療、データ通信、テレコム、パーソナルエレクトロニクス、ネットワークの市場におけるOEMに有力なソリューションを提供し続けています。ファイフォンは、6500人以上の従業員を抱え、カリフォルニア、ニューヨーク、オランダ、中国、日本、ベトナム、台湾にデザインラボ、製造施設、販売サポートセンターを持っています。英語サイト：https://www.phihong.com
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
Contacts
Press Contact:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com
