トランスフォームの参照設計ポートフォリオがUSB-C PD GaN電源アダプターの開発を加速

自社開発および提携を通じて開発した7種の設計ツールは、45W〜140Wのアダプター向けに高性能な650V GaN FETの優位性を活用

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、GaNベースのUSB-C PD電源アダプターの開発を加速させるための7種の参照設計の提供について発表しました。このポートフォリオには幅広いオープンフレーム設計のオプションが含まれており、さまざまなトポロジー、出力、ワット数（45W〜140W）を選択できます。

SuperGaN®技術の違い

電源アダプターの参照設計は、SuperGaN Gen IV 650V FETを使用し、トランスフォームのGaNデバイスの代名詞となっている設計の容易さ、高信頼性、高性能の利点を実現しています。最近の分析で、175mOhm e-mode GaNデバイスと比較したところ、トランスフォームの240mOhm SuperGaN FETは75℃以上の温度でオン抵抗の上昇が少なく、50%および100%（フル）の出力でより高い性能を発揮しました。

これら2つのGaNソリューションを比較した結果の詳細は、こちらでご確認できます。

電源アダプターの参照設計

トランスフォームのポートフォリオには、周波数が140〜300kHzのオープンフレームUSB-C PDの参照設計が5種類含まれています。例えば、トランスフォームはシラーナ・セミコンダクターと提携し、140kHzで動作して、ピーク効率が94.5%の65Wアクティブクランプフライバック（ACF）RDの参照設計を開発しました。

• 45WのアダプターRDは24W/in³の電力密度を擬似共振フライバック（QRF）のトポロジーで提供（1種）
• 65WのアダプターRDは30W/in³の電力密度をACFまたはQRFのトポロジーで提供（3種）
• 100WのアダプターRDは18W/in³の電力密度を力率補正（PFC）+QRFのトポロジーで提供（1種）

また、トランスフォームのポートフォリオには、周波数が110〜140kHzのオープンフレームUSB-C PD/PPSの参照設計が2種類含まれています。トランスフォームは両方のソリューションでダイオーズと提携し、同社のACFコントローラーを活用して、93.5%以上のピーク効率を達成しました。

• 65WのアダプターRDは29W/in³の電力密度をACFのトポロジーで提供（1種）
• 40WのアダプターRDは20W/in³の電力密度をPFC+ACのトポロジーで提供（1種）

トランスフォームのフィールドアプリケーション／テクニカルセールス担当バイスプレジデントのTushar Dhayagudeは、次のように述べています。「トランスフォームは、最も広範な用途向けに最も幅広い出力レベルに対応した唯一のGaN FETポートフォリオを提供しているという点において、独自性があります。当社の電源アダプターの参照設計は、低消費電力機能が際だっています。当社は、コントローラーの種類に左右されず、設計を飛躍的に簡素化するPQFNデバイスとTO-220デバイスを提供しています。これらの機能は、その他と相まって、お客さまが画期的な電力効率レベルを達成できるGaNソリューションを、迅速かつ容易に市場投入する上で役立ちます。トランスフォームのGaNは、まさにそのためにあります。」

現行の電源アダプターの参照設計ポートフォリオは、こちらでご確認できます。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。

Contacts

Press Contact:
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
[e-mail]