- 新しい高電圧デバイスは、これまで炭化ケイ素電力システムの領域と見なされていた高電力電気自動車／再生可能アプリケーションにおいて、GaN技術の優位な適用範囲を立証
- トランスフォームの社長で共同創設者のプリミット・パリークは、2月25日金曜日の午後3時30分（東部標準時）にチェダー・ニュースにゲスト出演へ
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、パワー半導体業界で権威ある電気電子学会（IEEE）カンファレンスのパワー半導体デバイス／IC国際シンポジウム（ISPSD）において、1200ボルトのGaNデバイスの最先端研究開発の成果をデモンストレーションすると発表しました。
1200V GaNデバイスは、99%超の効率を実現し、同様のオン抵抗の有力なSiC MOSFETと比べて優れた性能を発揮します。ARPA-E CIRCUITSプログラムから一部資金提供を受けているトランスフォームは、電動車両の移動手段、インフラストラクチャーの電力システムに加え、産業用エネルギーシステムと再生可能エネルギーシステムを対象に、この技術を開発しています。この重要な節目となる成果により、トランスフォームは、現時点で他のどのGaNサプライヤーよりも、最も幅広い業界横断的なアプリケーションで、45Wから10K+ kWまでと最も広範囲の電力をサポートする能力が、さらに強化されます。
5月のISPSDにおけるプレゼンテーションでは、デバイスの構成と、ハードスイッチの同期ブースト・ハーフブリッジ・トポロジーを使用して実施した性能分析についての詳細情報を提供します。TO-247パッケージで当初提供する1200V GaNデバイスはオン抵抗が70ミリオームで、さらなる低抵抗・高電力レベルへと容易に拡張できます。初期の結果は、1400ボルトを超える絶縁破壊電圧で特に低い漏れを示しています。
トランスフォームの最高技術責任者（CTO）で共同創設者のウメシュ・ミシュラは、次のように述べています。「トランスフォームのエンジニアは当社独自の垂直統合機能を基盤として、GaNで実現できることの限界をさらに押し上げました。私たちは、超高電圧で高信頼性のGaN製品を市場に投入し、電力システムを開発する際により多くの選択肢をお客さまに提供することを目指しています。当社の1200ボルトGaN FETは、SiCソリューションよりも優れた設計性と費用効果を備えた見事な性能を実現します。私たちは、これをGaNパワーエレクトロニクス業界にとって重要な節目となる成果であると考えています。」
今のところ、市販の高電力GaNトランジスターは一般的に600～650ボルトの範囲で、唯一の900V GaNデバイスはトランスフォームが提供しています。トランスフォームのコア製品ポートフォリオは、よく知られているTO-XXX／PQFNパッケージのノーマリーオフ型650Vデバイスで構成されており、この市場のGaNプロバイダーの中で最も幅広いパワーアプリケーションの1つに対応しています。これにより、お客さまは、代替的なeモードのGaNまたはSiCの選択肢よりも容易に設計と駆動ができる信頼性の高いデバイスを使用しながら、GaN固有の優位性（高電力密度、高電力効率、低スイッチング損失、低コストの全体的システム）を活用することができます。1200V FETの性能を実証すれば、これまでSiCソリューションに頼っていた要求の厳しい高性能パワーシステムアプリケーションをサポートすることによって、トランスフォームのポートフォリオと最終的な市場機会を拡大できる見込みがあります。
エネルギー高等研究計画局（ARPA-E）の技術担当アソシエイトディレクターであるIsik Kizilyalli博士は、次のように述べています。「1200V GaNについては業界内で以前から議論されてきましたが、多くの場合、達成するのは予想以上に難しいと認識されていました。トランスフォームのチームは、イリノイ工科大学が主導したARPA-E CIRCUITSプログラムの一環として、重要な飛躍的進歩を実証し、800ボルトの高効率スイッチングを備えた1200ボルトのデバイスノードでGaNの性能を示しました。」
トランスフォームの1200V FETは2023年にサンプル出荷できる見込みです。
メディア出演：トランスフォームの社長で共同創設者のプリミット・パリークは、2月25日金曜日の午後3時30分（東部標準時）にチェダー・ニュースにゲスト出演する予定です。これとは別に、パリークは2月22日にTDアメリトレード・ネットワークに出演しました。このインタビューはhttps://tdameritradenetwork.com/video/rB4A-H8hEBKBfyOJFFsAWAこちらで視聴できます。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
Contacts
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com
