東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献する1200V/1700V 耐圧SiC MOSFETモジュールの発売について

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けにシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2品種、耐圧1200V、ドレイン電流定格600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧1700V、ドレイン電流定格400Aの「MG400V2YMS3」を製品化し、量産を開始しました。

新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、当社初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなります。また、一般的なシリコン (Si) IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換があります。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

応用機器

• 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
• 再生可能エネルギー発電システム
• モーター制御機器
• 高周波絶縁DC-DCコンバーター

新製品の主な特長

• 一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ
• 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現

MG600Q2YMS3
V_DS(on)sense =0.9V (typ.) @I_D=600A、T_ch=25°C
E_on=25mJ (typ.)、E_off=28mJ (typ.) @V_DS=600V、I_D=600A、T_ch=150°C

MG400V2YMS3
V_DS(on)sense=0.8V (typ.) @I_D=400A、T_ch=25°C
E_on=28mJ (typ.)、E_off=27mJ (typ.) @V_DS=900V、I_D=400A、T_ch=150°C

• サーミスター内蔵

新製品の主な仕様

（特に指定のない限り、@TC=25°C)
品番			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
東芝パッケージ名称			2-153A1A
絶対 最大定格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)		1200	1700
	ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)		+25/－10	+25/－10
	ドレイン電流 (DC) ID (A)		600	400
	ドレイン電流 (パルス) IDP (A)		1200	800
	チャネル温度 Tch (°C)		150	150
	絶縁耐圧 Visol (Vrms)		4000	4000
電気的 特性	ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) VDS(on)sense typ. (V)	@VGS =+20 V、 Tch＝25°C	0.9 @ID＝600A	0.8 @ID＝400A
	ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子) VSD(on)sense typ. (V)	@VGS =+20 V、 Tch＝25°C	0.8 @IS＝600A	0.8 @IS＝400A
	ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子) VSD(off)sense typ. (V)	@VGS =－6 V、 Tch＝25°C	1.6 @IS＝600A	1.6 @IS＝400A
	ターンオンスイッチング損失 Eon typ. (mJ)	@Tch=150°C	25 @ VDS=600V、 ID=600A	28 @VDS=900V、 ID=400A
	ターンオフスイッチング損失 Eoff typ. (mJ)	@Tch=150°C	28 @ VDS=600V、 ID=600A	27 @VDS=900V、 ID=400A
サーミスター 特性	サーミスター定格抵抗 Rtyp. (kΩ)		5.0	5.0
	サーミスターB定数 B typ. (K)	＠TNTC=25~150°C	3375	3375

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

当社のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス

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