トランスフォームの第3世代GaNプラットフォームが車載用認定を取得

2番目のAEC-Q101準拠GaN FET製品ラインは温度限度175度で提供

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- JEDECおよびAEC-Q101に初めて準拠した最高の高信頼性の650
V窒化ガリウム（GaN）半導体の設計・製造でリードするトランスフォームは本日、当社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaNプラットフォームが車載グレードの個別半導体を対象とする車載電子部品評議会のAEC-Q101ストレス試験に合格したと発表しました。今回の合格により、車載用に認定された2番目の当社製品ラインが誕生します。またとりわけ、この第3世代GaNプラットフォームは認定試験で175度で動作できた点が最も信頼に値します。

トランスフォームの第3世代AEC-Q101 GaN FETとなるTP65H035WSQAは、業界標準のTO-247パッケージで35
mΩの標準オン抵抗を示します。当社の先行製品である50 mΩの第2世代TPH3205WSBQAと同様に、本デバイスが対象とするのはプラグインハイブリッド電気自動車（PHEV）／バッテリー電気自動車（BEV）向けのAC／DC
オンボードチャージャー、DC／DCコンバーター、DC／ACインバーターシステムです。

比類のない信頼性しきい値

2018年6月に投入したトランスフォームの第3世代デバイスは、市販製品の中で最高の信頼性と最高の品質[Q+R]を備えたGaN
FETとして上市されました。これらは低電磁干渉に加え、高ノイズ耐性（しきい電圧4 V）とゲートロバストネス（±20
V）を実現します。これらの進歩により、最小限の外付け回路で、以前にも増して高電流でより静かなスイッチングと高い性能に結実しました。

Q+Rを追求するこうした傾倒ぶりは規格試験を拡大して迅速に実施しようとの決断をもたらして、JEDECとAEC-Q101に拡大することになりました。この最新の車載用認定において、半導体メーカーの当社は本デバイスの温度限度を標準的なAEC-Q101準拠高電圧シリコンMOSFETの対応製品より25°C高くしてストレス試験を行いました。

本GaNプラットフォームの堅牢性を実現する以外にも、より高温での試験を実施したことから、トランスフォームのAEC-Q101 GaN
FETによってデザインエンジニアはあらゆる電力システムを開発する際に十分な熱的限界を駆使できることが実証されます。

トランスフォームの世界技術マーケティング担当バイスプレジデントのPhilip
Zukは、次のように述べています。｢デバイスの品質と信頼性を提供することがおそらく、特に車載・電気自動車市場の高電圧GaN
FETにお客さまが信頼を寄せるかどうかの最も決定的に重要な要因です。こうした目的で、私たちは当社のGaN製品が、ミッションプロファイル試験で求められるよりも遙かに過酷なこともあり得る実際の条件でも、性能と信頼性を確実に維持できるようにするのです。公表された信頼性データで示されるように、当社のJEDEC準拠第3世代プラットフォームは実環境FIT故障率が3で、これは炭化ケイ素のそれに見合うものとなっています。こうした高い信頼性レベルのおかげで、トランスフォームはセ氏175度の第3世代車載FETをリリースすることができました。｣

当社の2番目のAEC-Q101準拠デバイスはトランスフォームのQ+Rを追求する取り組みを再度実証するものであり、2019年1月のリリース「業界初の実環境信頼性データと初の初期故障率の計算」でも実証された通りです。このリリースは上記で言及したFIT故障率の典拠となります。

トランスフォームについて

トランスフォームは、シリコンの限界を超えたパワーエレクトロニクスに原動力を与えています。当社は高電圧電力変換用途向けに最高の性能と信頼性を備えたGaN半導体の設計・製造・販売を行っています。最大レベルのパワーGaN
IPポートフォリオ（交付済みまたは係属の特許は世界で1000超）を持つトランスフォームは、業界で唯一のJEDECおよびAEC-Q101に準拠したGaN
FETを生産しています。これは、材料およびデバイスの設計・製作から製造、パッケージング、基準回路設計、適用サポートに至るまであらゆる段階でイノベーションを可能にする垂直統合ビジネスアプローチによるものです。ウェブサイト：transphormusa.com
ツイッター：@transphormusa

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