東芝：電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VIシリーズ」の発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション
パワーMOSFET「DTMOS VI (ディーティーモス・シックス)
シリーズ」を製品化しました。シリーズ第一弾となる新製品「TK040N65Z」の量産、出荷を本日から開始します。

DTMOS VIシリーズは、従来シリーズ「DTMOS IV-H
(ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数であるドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量 (R_DS(ON)×Q_gd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる製品です。TK040N65Zは、従来製品「TK62N60X」(DTMOS
IV-Hシリーズ)と比べて、R_DS(ON)×Q_gdを約40%低減したことにより、電源効率が約0.36%^[注1]向上しました。

当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。

応用機器

• 
  データセンター (サーバー電源など)
  


• 
  太陽光発電パワーコンディショナー
  


• 
  無停電電源装置
  

新製品の主な特長

• 
  低R_DS(ON)×Q_gd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能
  

新製品の主な仕様

(@Ta=25 ℃)

品番

パッケージ

絶対最大定格

ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max @VGS=10 V (Ω)

ゲート 入力 電荷量 Qg typ. (nC)

ゲート･ ドレイン間 電荷量 Qgd typ. (nC)

入力容量 Ciss typ. (pF)

従来シリーズ (DTMOS IV-H) 品番

オンラインディストリビューター 在庫検索＆Web少量購入

ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS (V)

ドレイン 電流 (DC) ID (A)

TK040N65Z

TO-247

650

57

0.040

105

27

6250

TK62N60X

Buy Online

[注1] 2018年6月時点、当社実測値 (2.5kW PFC回路@出力電力=2.5kW)。

東芝400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/buy/stockcheck.TK040N65Z.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel:
03-3457-4963
e-mail: [e-mail]