東芝メモリ株式会社：64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したSingle Package NVMeTM クライアントSSDの出荷について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝メモリ株式会社は、64層積層プロセスを用いた3ビット／セル（TLC）の3次元フラッシュメモリ「BiCS
FLASH™」とコントローラーをsingle packageに収めたクライアント向けSSD 「BG3シリーズ」を開発し、本日から一部のPC
OEM向けにサンプル出荷を開始します。2017年第4四半期（10月~12月）以降、順次出荷を拡大していく予定です。

「BG3シリーズ」はPCI Express® Gen3x2レーンとNVM Express^TM (NVMe^TM)
Revision 1.2.1に対応し、ホストメモリバッファ(HMB)機能^[注１]を実装します。HMB機能を実装することで、消費電力と実装スペースを必要とするDRAM
をSSD内では不要とし、小型パッケージに適した性能と消費電力のバランスを志向します。また、SLCバッファ機能の実装、フラッシュメモリマネジメントの改良、BiCS
FLASH^TMの採用などにより、シーケンシャルリード性能：1520MB/s^[注2]、シーケンシャルライト性能：840MB/s^[注２]を実現します。

新製品は、128GB、256GB、512GB^[注３]の三つの容量で用意します。それぞれ、SSDフォームファクタとしては業界最小クラス^[注４]の、面実装タイプの16mm
x 20mm x 1.5mmのM.2 1620^[注５]とモジュールタイプのM.2 2230^[注６]でラインアップします。また、128GBと256GB製品の厚さはM.2
1620規格のS2 (1.35 mm)、最大容量の512 GB製品の厚さはM.2 1620規格のS3 (1.5
mm)に準拠し、前世代品からの薄型化を進めることにより、ユーザーの薄型モバイルPCやタブレットをはじめとする先進的な応用製品のデザインに貢献します。さらに、小型、低消費電力の特長から、データセンターのブート用途などの応用分野にも適用が可能です。

また新製品はオプションとして、TCG Opal 2.0.1の暗号機能対応機種^[注７]も用意します。

なお、「BG3シリーズ」は8月8日から10日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit
2017」の#407ブースに展示します。

＊NVMe、NVM ExpressはNVM Express, Inc.の商標です。
＊PCI
EXPRESSは、PCI-SIGの登録商標です。
＊その他、本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。

[注１] ホストのDRAMの一部をSSDのフラッシュマネージメントとして使用する機能。
[注２]
記録容量512GBのモデルに対して、128KiB単位でのリード/ライトを当社の試験環境において実施した際の性能です。性能は容量によって異なります。1MB
(1メガバイト)＝1,000,000（10の6乗）バイトによる算出値です。1KiB（キビバイト）=1024（2の10乗）バイトによる算出値です。該当性能はリファレンス・データとして製品仕様書に記載する性能と異なる可能性があります。
[注３]
記憶容量：1GB(1ギガバイト）＝1,000,000,000（10の9乗）バイトによる算出値です。1GB=1,073,471,824(2の30乗）バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
[注４]
2017年8月3日現在、東芝メモリ株式会社調べ。
[注５] 128GBおよび256GBモデルはM.2
1620-S2、512GBモデルはM.2 1620-S3フォームファクタです。
[注６] 128GBおよび256GBモデルはM.2
2230-S2、512GBモデルはM.2 2230-S3フォームファクタです。
[注７]
自己暗号化機能付きモデルのラインアップは、地域によって異なります。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
SSD営業推進統括部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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