東芝メモリ：96層積層プロセスを用いた第4世代3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の開発について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝メモリ株式会社は、3次元フラッシュメモリ「BiCS
FLASH™」^注1の96層積層プロセスを適用した製品を試作し、基本動作を確認しました。本試作品は256ギガビット（32ギガバイト）の3ビット/セル（TLC）で、2017年後半にサンプル出荷、さらに2018年に量産開始を予定しており、データセンター向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどを中心に市場のニーズに合わせて展開していきます。

今後、96層積層プロセスを用いた512ギガビット（64ギガバイト）をはじめ、4ビット/セル(QLC)等のBiCS
FLASH™の製品化も計画しています。

本試作品は、回路技術やプロセスを最適化することでチップサイズを小型化し、64層積層プロセスを用いたBiCS
FLASH™と比べて単位面積あたりのメモリ容量を約1.4倍に大容量化しました。また、チップサイズの小型化により１枚のシリコンウェハーから生産されるメモリ容量を増やし、ビットあたりのコスト削減を実現しています。

当社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表^注2しており、今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場のニーズに応えるためフラッシュメモリの3次元積層構造化を進めていきます。

なお、96層プロセスを用いた製品は、当社四日市工場の第5棟、新・第2製造棟および2018年夏に第一期が竣工予定の第６製造棟でも製造する予定です。

注１
従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
注２
2007年6月12日当社発表資料。

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