東芝メモリ株式会社：64層積層3次元フラッシュメモリを搭載したNVMe™ SSDの出荷について

最大記憶容量1024GB^［注１］の薄型片面実装クライアント向けSSDの「XG5シリーズ」を立ち上げ

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- 東芝メモリ株式会社は、64層積層3ビット／セル（TLC）の3次元フラッシュメモリを搭載したNVM
Express^TM（NVMe^TM）SSDとして、最大記憶容量1024GBの薄型片面実装タイプのクライアント向けSSD「XG5シリーズ」を立ち上げ、本日から一部のOEM向けにサンプル出荷を開始します。2017年第3四半期（7月~9月）以降、順次出荷を拡大していく予定です。

新製品は、当社最新の64層積層3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH^TM」を搭載し、PCI EXPRESS^Ⓡ
Gen3 x4レーンで、SLC（1ビット/セル）キャッシュを採用することにより、3000MB/sのシーケンシャルリード^［注２］と2100MB/sのシーケンシャルライト^［注２］性能を実現しています。当社前世代製品^［注３］に比べて、単位消費電力あたりの読み書き性能を改善した他、待機中の消費電力も50%以上低減した3mW以下^［注４］を実現しました。

新製品のラインアップは、M.2 2280の片面実装タイプ^［注５］のフォームファクタで256GB、512GB、1024GBの3種類の記憶容量モデルをそろえます。さらに、TCG
Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付モデル^［注６］もラインアップし、パフォーマンスを重視するウルトラモバイルPCから機密性が要求されるビジネス用途まで、幅広い分野に対応します。

なお、新製品「XG5シリーズ」は、5月30日から6月3日まで台湾台北市で開催される「COMPUTEX TAIPEI 2017」に展示します。

当社は、今後も最先端フラッシュメモリ技術を使ったSSDのストレージソリューションを強化し、多種多様な応用分野に貢献していきます。

＊NVMe、NVM ExpressはNVM Express, Inc.の商標です。
＊PCI
EXPRESSは、PCI-SIGの登録商標です。
＊その他、本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。

［注１］記憶容量：1GB(1ギガバイト）＝1,000,000,000（10の9乗）バイトによる算出値です。1GB=1,073,471,824(2の30乗）バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステム
およびその他の要因で変わります。
［注２］記録容量1024GBのモデルに対して、128KiB単位でのリード/ライトを当社の試験環境において実施した際の性能です。性能は容量によって異なります。1MB(1メガバイト)＝1,000,000（10の6乗）バイトによる算出値です。1KiB（キビバイト）=1024（2の10乗）バイトによる算出値です。
［注３］「XG3シリーズ」
［注４］Non-Operational
power stateで、PCIeのLink power management stateがL1.2の時の電力値です。
［注５］M.2
2280-S2
［注６］自己暗号化機能付きモデルのラインナップは、地域によって異なります。

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
SSD営業推進統括部
Tel： [phone]
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

Contacts

報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝メモリ株式会社
営業企画部
高畑浩二
Tel:
03-3457-3822
e-mail: [e-mail]