東芝：ノイズ特性を改善した600V/650V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、各種産業・オフィス装置用の電源向けに、当社既存製品に比べてノイズ(EMI)特性を改善した、600V/650V耐圧でスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの新シリーズ「DTMOS
V（ディーティーモス・ファイブ）シリーズ」を立ち上げ、その第一弾となる12製品のサンプル出荷を本日から開始します。3月中旬から量産出荷を開始する予定です。

新シリーズは、当社既存製品の「DTMOS
IV（ディーティーモス・フォー）シリーズ」と比べて、同等レベルの低オン抵抗と高速スイッチング特性を維持しながら、設計プロセスの最適化により、EMI特性を各製品それぞれ約3～5dB低減しています。^［注１］また、単位面積当たりのオン抵抗「R_ON
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A」特性の改善により、既存製品では実現できなかった650V耐圧・DPAKパッケージでの0.29Ω製品をラインアップに加えることができました。新シリーズは、小型化や高効率化が必要な各種産業・オフィス装置向けの電源、ノートPC・携帯端末用アダプター・チャージャー、PC、プリンター、などの応用機器に対応する製品です。

＊新製品のラインアップ・主な仕様：
品番		パッケージ		絶対最大定格				RDS(ON) MAX. (Ω) @VGS=10V		Qg Typ. (nC) @VDD=400V VGS=10V ID=定格電流		Ciss Typ. (pF) @VDS=300V VGS=0V f=100kHz
				VDSS (V)		ID (A)
TK290A60Y		TO-220SIS		600		11.5		0.29		25		730
TK380A60Y		TO-220SIS		600		9.7		0.38		20		590
TK560A60Y		TO-220SIS		600		7.0		0.56		14.5		380
TK290P60Y		DPAK		600		11.5		0.29		25		730
TK380P60Y		DPAK		600		9.7		0.38		20		590
TK560P60Y		DPAK		600		7.0		0.56		14.5		380
TK290A65Y		TO-220SIS		650		11.5		0.29		25		730
TK380A65Y		TO-220SIS		650		9.7		0.38		20		590
TK560A65Y		TO-220SIS		650		7.0		0.56		14.5		380
TK290P65Y		DPAK		650		11.5		0.29		25		730
TK380P65Y		DPAK		650		9.7		0.38		20		590
TK560P65Y		DPAK		650		7.0		0.56		14.5		380

［注１］150～210MHz帯域で当社評価用電源ボード使用時。東芝調べ。

新製品を含む東芝の中高耐圧MOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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