東芝：高効率電源向けに低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した800V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、高効率電源向けに、低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した低電圧駆動のパワーMOSFETの新製品として、800
V耐圧でスーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFET 8製品を「DTMOS
IV（ディーティーモス・フォー）シリーズ」のラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。

新製品は、スーパージャンクション構造を適用することによって、単位面積当たりのオン抵抗「R_ON x
A」を、当社既存製品「π-MOSVIIIシリーズ」に比べて約79%低減しています。また、高速スイッチング特性により、応用機器の電源効率の改善に貢献することが可能です。各種産業用電源、各種サーバー用スタンバイ電源、ノートPCやモバイル機器向けのアダプターやチャージャー、LED照明用電源などの応用機器に対応する製品です。

＊新製品のラインアップ・主な仕様：
(@Ta=25°C)
品番		パッケージ		絶対最大定格				ドレイン・ソース 間オン抵抗 RDS(ON) @VGS=10 V (Ω)		ゲート入力電荷量 Qg typ. @VDD≈640 V, VGS=10 V, ID=Maximum Rating (nC)		入力容量 Cisstyp. @VDS=300 V, VGS=0 V, f=1 MHz (pF)
				ドレイン・ ソース間 電圧 VDSS @ ID=10 mA (V)		ドレイン 電流 (DC) ID (A)
TK17A80W		TO-220SIS		800		17		0.29		32		2050［注１］
TK12A80W		TO-220SIS		800		11.5		0.45		23		1400
TK10A80W		TO-220SIS		800		9.5		0.55		19		1150
TK7A80W		TO-220SIS		800		6.5		0.95		13		700
TK17E80W		TO-220		800		17		0.29		32		2050［注１］
TK12E80W		TO-220		800		11.5		0.45		23		1400
TK10E80W		TO-220		800		9.5		0.55		19		1150
TK7E80W		TO-220		800		6.5		0.95		13		700
［注１］測定条件 f=100 kHz

新製品を含む東芝の中高耐圧MOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。

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