東芝：サージ電流耐量を改善した第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社はSiC（シリコンカーバイト）ショットキバリアダイオード（SBD）の新製品として、当社既存製品に比べてサージ電流耐量(I_FSM)を約70%改善した第2世代650V耐圧の製品を開発し、本日から8製品のラインアップの出荷を開始します。

新製品は、高効率電源のPFC回路^［注１］などに適した当社第2世代の650V耐圧のSiCショットキバリアダイオードで、当社第1世代製品と比べてサージ電流耐量を約70%向上させながら、損失性能を示す効率性能指数「R_ON
* Qc」^［注２］を約30%低減し、低損失化を図っています。

新製品のラインアップは、４A / 6A / 8A /
10Aの４つの電流定格を、非絶縁型「TO-220-2L」と絶縁型「TO-220F-2L」の2種類のパッケージに搭載した8製品となります。4K大型スクリーン用液晶TV用電源、プロジェクタ用電源、複合複写機用電源などの民生機器や、通信基地局用電源、PCサーバ用電源などの産業機器の電源の高効率化に貢献することが可能な製品です。

＊新製品のラインアップ・主要特性：
パッケージ		特性 (Ta=25℃)		絶対最大定格						電気的特性
				直流 順電流		非繰り返し ピーク 順電流		許容損失		順電圧		アノード・ カソード間 オン抵抗		接合 容量		端子間 電荷量
		記号		IF(DC)		IFSM		Ptot		VF		RON		Cj		QC
		値		最大		最大		最大		標準 &最大		標準		標準		標準
		単位		(A)		(A)		(W)		(V)		（ｍΩ）		（pF）		(nC)
		試験条件 / 品番		－		@正弦半波 t=10ms		－		＠ IF(DC)		＠ IF(DC) × 0.25 ～ 1.0		@ VR= 1V		@VR= 400V
非絶縁   TO-220-2L		TRS4E65F		4		39		55.6		1.45 (標準) 1.60 (最大)		120		165		10.4
		TRS6E65F		6		55		68.2				82		230		15.1
		TRS8E65F		8		69		83.3				62		300		19.7
		TRS10E65F		10		83		107				48		400		24.4
絶縁   TO-220F-2L		TRS4A65F		4		37		33.6		1.45 (標準)   1.60 (最大)		120		165		10.4
		TRS6A65F		6		52		35.4				82		230		15.1
		TRS8A65F		8		65		37.5				62		300		19.7
		TRS10A65F		10		79		39.7				48		400		24.4

［注１］Power Factor Correction：力率改善
［注２］R_ON：アノード・カソード間オン抵抗、Qc：端子間電荷量

新製品を含む東芝のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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