東芝：急速充電器向けに100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャネルパワーMOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、急速充電器などに使われる低電圧駆動のパワーMOSFETの新製品として、「U-MOS
VIII-H（ユー・モス・エイト・エイッチ）シリーズ」に100
V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動が可能なNチャネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」と「TPH4R10ANL」の2製品をラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。

近年、急速充電器の普及に伴い、スイッチング電源の2次側整流部に使われるパワーMOSFETの高性能化が求められています。新製品は、低耐圧トレンチ構造の高速プロセスを採用し、スイッチング用途における要求性能指数である「R_DS(ON)
x Qsw」^［注１］を低減し、業界トップクラス^［注２］
の低オン抵抗と高速性能を実現しました。また、出力電荷量を低減することによって出力損失を改善し、応用機器の高効率化に貢献します。さらに新製品は、4.5
Vのロジックレベル駆動に対応することによりコントローラICからバッファレスの駆動が可能であり、システムの低消費電力化にも貢献し、USB3.0のアプリケーションなどの高出力化に伴う電源の高出力電圧化の要望にも対応します。急速充電器、スイッチング電源、サーバや通信インフラ用のDC-DCコンバータなど、幅広いアプリケーションに対応する製品です。

(特に指定のない限り、Ta=25 ℃)
品番		極性		絶対最大定格				ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)				ゲート入力 電荷量 Qg typ. (nC)		出力 電荷量 Qoss typ. (nC)		ゲート スイッチ 電荷量 Qsw typ. (nC)		入力容量 Ciss typ. (pF)		パッケージ
				ドレイン・ソース間 電圧VDSS (V)		ドレイン電流 (DC) ID (A) @Tc = 25℃		@VGS= 10 V		@VGS= 4.5 V
TPH6R30ANL		N-ch		100		45		6.3		10.3		55		46		14		3300		SOP Advance
TPH4R10ANL						70		4.1		6.6		75		74		21		4850

＊新製品の特長：
・4.5 Vのロジックレベル駆動に対応
・業界トップクラス^［注２］
の低オン抵抗と高速性能を両立

［注１］		RDS(ON)：ドレイン・ソース間オン抵抗、
		Qsw：ゲートスイッチ電荷量
［注２］		2017年1月11日時点、同定格の製品において。東芝調べ。

新製品を含む東芝の低耐圧パワーMOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/lv-mosfet.html

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