東芝：業界トップクラスの低オン抵抗を実現した40V/45V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について

低耐圧パワーMOSFET「U-MOS IX-Hシリーズ」のラインアップを拡充

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、低耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS
IX-H（ユー・モス・ナイン・エイッチ）シリーズ」の新製品として、業界トップクラス^［注１］の低オン抵抗と高速性能を実現した40V耐圧品9製品と45V耐圧品5製品をラインアップに追加し、本日から出荷を開始します。新製品は、高効率DC-DCコンバータ、高効率AC-DCコンバータ、スイッチング電源、モータドライブなどの産業機器や民生機器に適した製品です。

新製品は、低耐圧トレンチ構造の当社最新世代のU-MOS IX-Hプロセスを採用し、スイッチング用途における要求性能指数である「R_DS(ON)・Q_sw」^［注２］を当社既存製品^［注３］に比べて低減し、業界トップクラス^［注１］
の低オン抵抗と高速性能を実現しました。また、出力電荷量を低減することによって出力損失を改善し、応用機器の高効率化にも貢献します。さらに新製品は、スイッチング時のスパイク電圧やリンギングを抑えるようにチップのセル構造を最適化しており、スイッチングノイズを少なくすることにより、応用機器のEMIの低減に寄与することもできます。

＊新製品のラインアップ・主要特性：
(特に指定のない限り、Ta=25 ℃)
品番		極性		絶対最大定格				ドレイン・ソース間 オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)				ゲート入力 電荷量 Qg typ. (nC)		出力 電荷量 Qoss typ. (nC)		ゲート スイッチ 電荷量 Qsw typ. (nC)		入力容量 Ciss typ. (pF)		パッケージ
				ドレイン・ソース間 電圧VDSS (V)		ドレイン電流 (DC) ID (A) @Tc = 25℃		@VGS=10 V		@VGS=4.5 V
TPH7R204PL［注４］		N-ch		40		48		7.2		9.7		24		16		6.9		1570		SOP Advance
TPH6R004PL［注４］						49		6.0		8.4		30		20		9		2100		SOP Advance
TPH3R704PC［注４］						82		3.7		5.8		47		28		14		2780		SOP Advance
TPH2R104PL［注４］						100		2.1		3.1		78		46		21		4790		SOP Advance
TPHR8504PL［注４］						150		0.85		1.4		103		85.4		23		7370		SOP Advance
TPN7R504PL［注４］						38		7.5		10		24		16		6.9		1570		TSON Advance
TK3R1E04PL［注４］						100		3.1		3.8		63.4		42		17.5		4670		TO-220
TK3R1A04PL［注４］						82		3.1		3.8		63.4		42		17.5		4670		TO-220SIS
TPWR8004PL［注４］						150		0.80		1.35		103		85.4		23		7370		DSOP Advance
TPN3R704PL						80		3.7		6.0		27		20.2		8.1		1910		TSON Advance
TPN2R304PL						80		2.3		4.0		41		27		10.8		2750		TSON Advance
TPH3R704PL						92		3.7		6.0		27		20.2		8.1		1910		SOP Advance
TPH1R204PL						150		1.24		2.1		74		56		17		5500		SOP Advance
TPH2R805PL［注４］				45		100		2.8		3.9		73		55		22		3980		SOP Advance
TPH1R405PL［注４］						120		1.4		2.3		74		67		22		4830		SOP Advance
TPH1R005PL［注４］						150		1.04		1.7		122		98		34		7700		SOP Advance
TPN2R805PL［注４］						80		2.8		5.0		39		32		12		2450		TSON Advance
TPW1R005PL［注４］						150		0.99		1.65		122		98		34		7700		DSOP Advance

＊新製品の特長：

• 
  業界トップクラス^［注１］の低オン抵抗
  R_DS(ON)= 0.80 mΩ (max) ＠V_GS=
  10V (TPWR8004PL)
  R_DS(ON)= 0.99 mΩ (max) ＠V_GS=
  10V (TPW1R005PL)
  


• 
  低出力電荷量
  


• 
  高速性能
  


• 
  スイッチングノイズが少ない
  


• 
  ロジックレベル駆動 (4.5V) に対応
  

［注１］		2016年12月9日時点、同定格の製品において。東芝調べ。
［注２］		RDS(ON)：ドレイン・ソース間オン抵抗
		Qsw：ゲートスイッチ電荷量
［注３］		当社前世代U-MOS VIII-Hプロセスを採用した製品
［注４］		新製品

新製品を含む東芝の低耐圧パワーMOSFET製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/lv-mosfet.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
パワーデバイス営業推進部
Tel： [phone]
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html

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