東芝：高許容損失の小型パッケージを採用したモバイル機器のロードスイッチ用低オン抵抗MOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器の充電回路用ロードスイッチ向けに展開している小型・低オン抵抗MOSFETのラインアップに、新たに開発した高許容損失の小型パッケージ「TSOP6F」を採用した製品を加え、その第一弾として20V耐圧のPチャネルシングルMOSFET「SSM6J801R」のサンプル出荷を本日から開始します。量産出荷は12月末を予定しています。

新パッケージ「TSOP6F」は、モバイル機器の充電回路用ロードスイッチやLED駆動回路の小スペース化要求に対応して開発された2.9mm×2.8mmの小型パッケージで、既存のSOT-457パッケージと同じ実装面積とランドパターンながら、許容損失1.5Wを実現しています。

新パッケージ「TSOP6F」を使った小型・低オン抵抗MOSFET製品は、今回の「SSM6J801R」を第一弾とし、今後2in1展開など順次製品ラインアップの拡大を行っていく予定です。

品番		構成		VDSS (V)		VGSS (V)		ID (A)		RDS(ON) typ. (mΩ)								Ciss (pF)		Sample		Mass Production
										VGS=1.5V		VGS=1.8V		VGS=2.5V		VGS=4.5V
SSM6J801R		Pch Single		-20		-8/+6		-6		47		39		31		25		840		OK		Dec./'16
SSM6J808R				-40		-20/+10		-7		-		-		-		41		1105		Dec./'16		2Q/'17
SSM6K810R		Nch Single		100		±20		3.5		-		-		-		65		430		Dec./'16		2Q/'17
SSM6N813R		Nch Dual		100		±20		3.5		-		-		-		120		172		Apr./'17		3Q/'17
SSM6N815R				100		±20		2		-		-		-		95		223		Mar./'17		May/'17

新製品「SSM6J801R」の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.SSM6J801R.html

東芝の小型・低オン抵抗 MOSFETのラインアップについては下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

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