ウィンボンド・エレクトロニクスがシリアルNANDフラッシュQspiNANDに高速かつフレキシブルな読出しを実現するシーケンシャルリードモードを新たに導入

ウィンボンドのQspiNANDフラッシュ

フレキシビリティを提供

半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーである、ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は2020年6月2日、QspiNANDフラッシュに、高速かつフレキシブルな読出しを実現するシーケンシャルリードモードを新たに導入することを発表しました。これにより、スペシャリティフラッシュメモリにおける業界のイノベーションをリードします。

コードストレージ用として従来から使用されているNORフラッシュの代替品として、512Mビット以上のメモリ容量で、シングルレベルセル(SLC)NANDフラッシュを採用する車載機器およびIoTデバイスのメーカーが増加しています。



画像1: https://www.atpress.ne.jp/releases/214549/LL_img_214549_1.png

ウィンボンドのQspiNANDフラッシュ



ウィンボンド・エレクトロニクスはこれまで、シリアルNANDフラッシュにおけるイノベーションとして、Quad SPIに対応したシリアルNORフラッシュと互換性を持ったシリアルNANDフラッシュのコマンドセット、および104MHzのクロック周波数で最大52Mバイト／秒の読出しスループットを達成する連続リードモード(Continuous Read Mode)を挙げていました。

そしてこの度、QspiNANDフラッシュW25Nファミリーにおいて、シーケンシャルリードモード(Sequential Read Mode)を導入し、新たなイノベーションをもたらします。シーケンシャルリードモードでは、連続リードモードと同じ最大52Mバイト／秒の読出しスループットを104MHzのクロック周波数で達成し、さらにチップの動作を設定する新たな柔軟性を備えています。最も重要な新しいオプションは以下の通りです。





●ユーザーが任意のECCを適用できる自由度を提供します。連続リードモードでは、QspiNANDフラッシュ内に搭載されたオンチップECCのみが使えますが、シーケンシャルリードモードでは、オンチップECCが無効化されており、システム、CPUが持つ、4ビット、8ビットなど任意のECCエンジンを使うことができます。



●単一の読出しコマンドで、メイン領域とスペア領域の両方を含むメモリアレイ全体にアクセスできます。これは、低遅延と高速起動が特に重要なコードシャドウイングアプリケーションに理想的です。



●ユーザーのアプリケーションに合わせた任意のデータ配置が構成可能です。

「シーケンシャルリードモードの追加により、ユーザーは最大52Mバイト/秒という高速読出しの恩恵を受けながら、任意のECCとデータ配置を実現可能です」と、米国ウィンボンド・エレクトロニクス社フラッシュ事業部のSyed S. Hussainセグメントマーケティング部長は語っています。

シーケンシャルリードモードが搭載されたQspiNANDフラッシュは、512Mビット、1Gビット、2Gビット、4Gビットの各容量に製品展開されており、すべて台湾台中市にある12インチウェハ自社工場で製造されています。ウィンボンド・エレクトロニクスは、車載およびIoTの両市場セグメントで見込まれている新しい需要に対応するため、生産能力を拡大しています。

ウィンボンドのQspiNANDフラッシュは、コンパクトな8ピンのパッケージで提供されています。これは、従来のONFI NANDフラッシュでは不可能であった省スペース型のパッケージです。104MHzのクロック周波数は、クワッドI/O命令の使用時において、416MHz(104MHz×4)相当の速度を実現します。NANDフラッシュ特有の不良ブロック管理をサポートするために、不良ブロック管理機能も搭載しています。



ウィンボンド・エレクトロニクスのシリアルNANDフラッシュQspiNANDの主な特徴は次の通りです。



1. 温度範囲

・-40℃～+85℃、インダストリアルグレード

・-40℃～+105℃、インダストリアルプラスグレードおよび車載グレード



2. メモリアーキテクチャ

・46nmプロセス技術によるシングルレベルセル(SLC)

・オンチップECC有効時のページ読出し時間：60μs

・ページプログラム時間：250μs(Typ.)

・ブロック消去時間：2ms(Typ.)

・OTP領域のサポート



3. 信頼性

・エンデュランス：10万回

・データ保持 ：10年



4. 省スペースパッケージ

・WSON8 6×8mm

・WSON8 5×6mm

・TFBGA24 6×8mm

・KGD(ノウングッドダイ)



詳細情報は、 https://www.winbond.com をご覧ください。



画像2: https://www.atpress.ne.jp/releases/214549/LL_img_214549_2.png

フレキシビリティを提供



■ウィンボンド・エレクトロニクスについて

ウィンボンド・エレクトロニクスはトータルメモリソリューションプロバイダです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、およびコードストレージフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。

台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港に子会社を有しています。

稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および新たに建設を進めている高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。





ウィンボンドは、ウィンボンド・エレクトロニクスの登録商標です。

ここに記載されている他のすべての商標と著作権は、各所有者の財産です。