最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品「TK160F10N1L」と比べて約20%低減した。これにより機器の低消費電力化に貢献する。さらに、MOS構造の最適化によりスイッチングノイズが少なく、機器のEMI(電磁妨害)の低減に貢献できる。また、しきい値電圧幅を1Vに抑え、並列使用時のスイッチング同期性を高めている。 ・ロードスイッチ、スイッチング電源、モータードライブなどの車載機器に応用。 ・RDS(ON)=1.92mΩ (max) @VGS=10V ・AEC-Q101適合