【調査レポートのサマリー】
2019年6月発行

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トランスミッタ回路にRFパワーアンプを使う多くの製品やサービスには、携帯電話などのモバイル機器の無線インフラストラクチャ、ラジオやテレビなどの放送、MRI機器などの医療機器、カーペット繊維や合板などの硬化材料、レーダ、宇宙・衛星通信、警察・消防無線、軍事用通信、その他のエレクトロニクスなどがある。このようなトランスミッタの多くはRFパワーアンプの出力に半導体を使っている。従来はRFセクションで大規模の真空チューブを使用していた超高出力の放送用トランスミッタも、現在ではソリッドステート機器を使用し始めている。

米国調査会社ABIリサーチの調査レポート「【分析レポート:アプリケーション】シリコン、窒化ガリウム、ガリウム砒素の高出力RFデバイス技術のRFパワー半導体デバイス」は、現在多くの用途で使用されている3ワット以上の出力と4ギガヘルツ以上の周波数を扱うRFパワー半導体機器について調査している。シリコンベースとガリウムベースの機器を調査している。

A myriad of products and services utilize RF power amplifiers in their transmitter circuitry: wireless infrastructure for cell phones and other mobile devices;radio and television broadcasting;medical equipment such as MRI machines;materials curing that includes carpet fibers and plywood;radar;space and satellite communications;police and fire radios;and military communications and electronics of all kinds. Most of these transmitters use semiconductors in the RF power amplifier output stages. Even modern, extremely high-power broadcast transmitters that traditionally have used large vacuum tubes in their RF sections have finally begun to use solid-state devices.

This study examines RF power semiconductor devices that have power outputs of greater than three watts and operate at frequencies of up to 4 GHz, which represent the bulk of applications in use today. Both silicon-based and gallium based devices are covered.


ABIリサーチは、米国ニューヨークに本社をおき、幅広い視点で通信関連分野についての調査レポートを出版しています。通信、移動体・無線、IoTとM2M、位置情報、自動車技術、セキュリティ等に関して、産業・技術や半導体の動向分析や市場予測等を行い、定評を得ています。多くの調査会社が特定の分野に特化しがちな中で、総合的な調査活動を行うABIリサーチは貴重な存在です。常に調査対象を更新しつつ、最新の情報の収集・提供を行っています。


■ 調査レポート ■

【分析レポート:アプリケーション】シリコン、窒化ガリウム、ガリウム砒素の高出力RFデバイス技術のRFパワー半導体デバイス
RF Power Semiconductor Devices for Silicon, Gallium Nitride, and Gallium Arsenide High-Power RF Device Technologies
Application Analysis Report
出版社: ABIリサーチ(米国)
出版年月:2019年6月
http://www.dri.co.jp/auto/report/abi/abian5091.html

【サービス区分】5G&モバイルネットワークインフラ
http://www.dri.co.jp/auto/report/abi/index.html#1237


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情報提供元: Dream News
記事名:「 【ABIリサーチ調査報告】シリコン、窒化ガリウム、ガリウム砒素の高出力RFデバイス技術のRFパワー半導体デバイス