トランスフォームとウェルトレンド・セミコンダクターの新GaNシステムインパッケージ、複数の電力レベルをサポートして競争上の優位性を実現
コスト効率の良いSuperGaN ICはウェルトレンドの新規リファレンスデザインで立証されたとおり、 65ワットと100ワットのアダプターをサポート、スケールメリットやGaNの堅牢性を顧客に提供
カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --堅牢なGaNパワー半導体の世界的リーダーであるトランスフォーム社 (Nasdaq: TGAN)、およびアダプター用USB PDコントローラ対応ICの世界的リーダーであるウェルトレンド・セミコンダクター社 (TWSE: 2436)は、100ワットのUSB-C PD電源アダプターのリファレンスデザインの可用性について発表しました。 基盤に使用しているのは同社のSuperGaN®システムインパッケージ (SiP) であるWT7162RHUG24A であり、疑似共振フライバック (QRF) 技術において92.7パーセントの効率を達成しています。
これはウェルトレンドにとって第二弾となる、QRF技術にWT7162RHUG24Aを使用したUSB-C PDアダプター基盤です。第一弾は、今年すでにリリースした65ワット基盤です。両基盤ともに同じSuperGaN SiPを採用しているという事実は、スケールメリットや競合他社より安価な100ワット設計の導入を実現しようとする顧客にとって有益となります。これが示しているのは、65ワット級のSuperGaN SiPも100ワット設計の性能要件・温度要件を満たすということです。
「GaN系集積回路というアイデアは、デザインエクスペリエンスを簡素化できる点で素晴らしいものですが、アイデアを正しく実行に移さなければなりません。必要なコントローラーを内部に詰め込んだ、まさに統合型の単一デバイスにする必要があります。これこそが、ウェルトレンドとトランスフォームのSuperGaN SiPが卓越している点です」とトランスフォームの事業開発担当シニアバイスプレジデントであるフィリップ・ズクは述べています。「SiPはシンプルなノーマリーオフソリューションで、プロテクション、ドライバーや外部コントローラーが不要です。これに加えて、同じSiPが65ワットおよび100ワットの電源アダプター基盤で動作する機能も備わり、GaN本来の多用途性や堅牢性が真に発揮されるようになりました。そして、これはトランスフォームが現在持つ、SuperGaNプラットフォームだからこそなせる業でもあります」
「私たちにとって重要なのは、市場にもたらすものが、できる限り最高のこの上なく機能的なソリューションであると保証することです。特に、AC-DC電源市場におけるフットプリントを色濃くしていくのであれば」と、ウェルトレンド・セミコンダクターのマーケティング担当副社長、ウェイン・ロー氏は述べています。「電源アダプター市場は絶えず進化し続け、GaNが持つ非常に魅力的な優位性を中心に革新を遂げています。私たちはとにかく、お客様がこうしたアドバンテージを、技術的なメリットだけでなく、広範なROIのメリットとしても活用できるようにしているのです。 アダプターの物理設計のニーズに加え、さまざまなモデルを含むアダプターライン全体の財務目標に1つのSiPで対応することは、私たち全員にとって成功といえます。リリースされた100ワットのリファレンスデザインは、当社の技術をもって低価格帯でできることが何であるかを力強く証明しています。そして、私たちはまさにスタートを切ったところなのです」
100ワットアダプターのリファレンスデザインの仕様
ウェルトレンドのユニバーサル100ワット電源アダプター基盤は、USB PD 3.0 + PPS規格に合わせて設計されています。 その用途には、スマートフォン、タブレット、ノートPCやその他のスマートデバイスを充電する、高性能、薄型のさまざまな電源アダプターのスピード開発が狙いとしてあります。追加の主な仕様は次のとおりです。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SuperGaN SiP: コンパクト、コスト効率の良さ、短期開発
WT7162RHUG24Aは、45～100ワットのUSB-C PD電源アダプターでの使用を考えて設計された、真の集積回路です。ウェルトレンドのWT7162RHSG08 疑似共振制御／マルチモードフライバックPWMコントローラーとトランスフォームの 240ミリオーム、650ボルト SuperGaN® FETが統合されています. この表面実装型デバイスはピン数24個の8×8 QFNパッケージで提供され、92.7%のピーク効率を実現します。主な利点としては、出力密度の向上と優れた熱管理による長期的な信頼性の実現と、BOMコストの削減が挙げられます。詳細については、以下をご覧ください。https://bit.ly/WeltSiPBdpma.
可用性
デモボードのご利用やSiPのサンプルについては、以下にあるウェルトレンドの販売チームにお問い合わせくださいsales@weltrend.com.tw.
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を超える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、こちらからご覧ください。www.transphormusa.com. X (旧Twitter) @transphormusaやWeChat Transphorm_GaNでフォローしてください。
ウェルトレンド・セミコンダクター社について
1989年に「台湾のシリコンバレー」、新竹サイエンスパークで設立されたウェルトレンド・セミコンダクター社 (TWSE: 2436) は、パワーサプライ、モーター制御、画像処理、その他多様なアプリケーションにわたるミックスド・シグナル／デジタルIC製品の企画、設計、テスト、アプリケーション開発、販売を専門とする大手ファブレス半導体企業です。詳細については、以下をご覧くださいwww.weltrend.com.
SuperGaNのマークは、Transphorm, Inc. の登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属しています。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
Contacts
Press Contact:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
Investor Contacts:
David Hanover or Jack Perkins
KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com