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受賞内容
発明賞
キオクシア株式会社 メモリ事業部 メモリ設計技術統括部 参事 本間 充祥
キオクシア株式会社 メモリ技術研究所 デバイス技術研究開発センター センター長附 柴田 昇
受賞した発明の概要
スマートフォンやデータセンターなどで利用されているフラッシュメモリでは、より大容量化するために、フラッシュメモリを構成する各メモリセルに1ビットより多くのデータを記憶させる多値化が進んでいます。1つのセルに3ビット以上のデータを記憶させる超多値化が進むと、データ読み出しに必要となるセルごとの状態(閾値レベル)判定動作の回数が増えるほか、ビット間の判定動作回数のバラつきが大きくなり、特定のビットにエラーが重なる問題がありました。このエラー訂正には、より多くの誤り訂正符号(ECC)とそれを格納する領域が必要になります。
本発明では、ビット間の判定動作回数を平準化することで、特定のビットにエラーが重なることを回避し、ECCのための領域を削減させることができます。また、データ読み出し時の最大レイテンシを改善することができます。
本発明は、関東地方における優秀な発明に対して贈呈される令和三年度関東地方発明表彰においても、「発明協会会長賞」を受賞しました。
当社は今後も、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、世界の人々に価値をもたらす研究・技術開発を続けていきます。
本資料に関するお問い合わせ先:
キオクシアホールディングス株式会社
コーポレートコミュニケーション部
山路 航太
Tel: 03-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com