■ 特徴 1. 世界初 エピタキシャルウェハグレード、ヘテロ成長が可能 2. サファイア基板表面のパーティクル(ゴミや汚れ)が極限まで少ない 当社のPrime基板は、2インチから8インチまでのサイズでは、0.3μm以上の大きさのパーティクルが2インチあたり50個以下、主要金属(K Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn)については2E10/cm2以下の基準で管理しており、12インチ基板においても同等のPrimeグレードを達成する見込み 3. 12インチ半導体製造プロセス用のキャリアウェハ(装置内搬送トレイ)や、貼り合せ用基板として使用可能 4. 凹面、凸面の形状制御が可能